Продукція > ROHM > RQ5C030TPTL
RQ5C030TPTL

RQ5C030TPTL ROHM

rq5c030tptl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.61 грн
500+ 16.74 грн
1000+ 13.16 грн
3000+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ5C030TPTL ROHM

Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

Інші пропозиції RQ5C030TPTL за ціною від 11.75 грн до 41.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ5C030TPTL RQ5C030TPTL Виробник : ROHM rq5c030tptl-e.pdf Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.14 грн
24+ 31.15 грн
100+ 21.61 грн
500+ 16.74 грн
1000+ 13.16 грн
3000+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
RQ5C030TPTL RQ5C030TPTL Виробник : ROHM Semiconductor rq5c030tptl-e.pdf MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO
на замовлення 10609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.07 грн
10+ 33.23 грн
100+ 20.86 грн
500+ 17.8 грн
1000+ 15.15 грн
3000+ 13.42 грн
6000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5C030TPTL RQ5C030TPTL Виробник : Rohm Semiconductor rq5c030tptl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.68 грн
10+ 35.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5C030TPTL RQ5C030TPTL Виробник : Rohm Semiconductor rq5c030tptl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
товар відсутній