RQ5C035BCTCL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.91 грн |
| 6000+ | 10.51 грн |
| 9000+ | 10.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5C035BCTCL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RQ5C035BCTCL за ціною від 10.36 грн до 50.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5C035BCTCL | ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET |
на замовлення 4851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RQ5C035BCTCL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V |
на замовлення 13120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RQ5C035BCTCL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET
MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET
на замовлення 4851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.24 грн |
| 11+ | 30.64 грн |
| 100+ | 19.95 грн |
| 500+ | 15.67 грн |
| 1000+ | 12.15 грн |
| 3000+ | 11.46 грн |
| 6000+ | 10.36 грн |
| RQ5C035BCTCL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 13120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.48 грн |
| 10+ | 30.21 грн |
| 100+ | 19.50 грн |
| 500+ | 13.95 грн |
| 1000+ | 12.55 грн |