Продукція > ROHM > RQ5E025SPTL
RQ5E025SPTL

RQ5E025SPTL ROHM

rq5e025sptl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.46 грн
500+14.06 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ5E025SPTL ROHM

Description: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RQ5E025SPTL за ціною від 11.09 грн до 47.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ5E025SPTL RQ5E025SPTL Виробник : ROHM rq5e025sptl-e.pdf Description: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.96 грн
29+28.98 грн
100+19.46 грн
500+14.06 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTL RQ5E025SPTL Виробник : ROHM Semiconductor rq5e025sptl-e-1873209.pdf MOSFET -30V P-CHANNEL -2.5A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.41 грн
10+40.64 грн
100+26.41 грн
500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTL RQ5E025SPTL Виробник : Rohm Semiconductor rq5e025sptl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.88 грн
10+39.08 грн
100+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTL RQ5E025SPTL Виробник : Rohm Semiconductor rq5e025sptl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.