на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.44 грн |
| 12+ | 29.26 грн |
| 100+ | 19.70 грн |
| 500+ | 15.63 грн |
| 1000+ | 14.12 грн |
| 3000+ | 12.76 грн |
| 6000+ | 10.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5E040AJTCL ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RQ5E040AJTCL за ціною від 13.75 грн до 55.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5E040AJTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V |
на замовлення 1702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RQ5E040AJTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |