RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.17 грн |
| 10+ | 45.59 грн |
| 100+ | 29.91 грн |
| 500+ | 21.74 грн |
| 1000+ | 19.71 грн |
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Технічний опис RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0161 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 760mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 760mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-346T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm.
Інші пропозиції RQ5E070BNTCL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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RQ5E070BNTCL | ROHM |
Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0161 ohm, SOT-346T, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 760mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm |
на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RQ5E070BNTCL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 30V 7Ad Si MOSFET |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RQ5E070BNTCL | ROHM |
Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0161 ohm, SOT-346T, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 760mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 760mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-346T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm |
на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RQ5E070BNTCL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0161 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
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на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RQ5E070BNTCL |
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Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 30V 7Ad Si MOSFET
MOSFETs Nch 30V 7Ad Si MOSFET
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RQ5E070BNTCL |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0161 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
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Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0161 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
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на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



