на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 54.09 грн |
| 10+ | 36.16 грн |
| 100+ | 22.03 грн |
| 500+ | 19.24 грн |
| 1000+ | 15.48 грн |
| 3000+ | 14.36 грн |
| 9000+ | 12.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5G060BGTCL ROHM Semiconductor
Description: NCH 40V 6A SOT-346T, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V.
Інші пропозиції RQ5G060BGTCL за ціною від 15.95 грн до 62.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ5G060BGTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 6A SOT-346T, POWER MOSFEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V |
на замовлення 2763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RQ5G060BGTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 6A SOT-346T, POWER MOSFEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |

