RQ5H020TNTL

RQ5H020TNTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RQ5H020TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ5H020TNTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ5H020TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RQ5H020TNTL за ціною від 23.98 грн до 82.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ5H020TNTL RQ5H020TNTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ5H020TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RQ5H020TN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 16548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.21 грн
10+54.82 грн
100+38.18 грн
500+32.88 грн
1000+26.85 грн
3000+25.23 грн
6000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020TNTL RQ5H020TNTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5H020TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.76 грн
10+53.80 грн
100+37.40 грн
500+28.17 грн
1000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020TNTL RQ5H020TNTL Виробник : ROHM datasheet?p=RQ5H020TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ5H020TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020TNTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ5H020TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ5H020TNTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.