RQ5L015SPTL

RQ5L015SPTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RQ5L015SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.50 грн
6000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ5L015SPTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RQ5L015SPTL за ціною від 9.47 грн до 41.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Виробник : ROHM rq5l015sp-e.pdf Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.71 грн
500+19.72 грн
1500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ5L015SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET
на замовлення 107106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.65 грн
12+29.37 грн
100+18.64 грн
500+14.82 грн
1000+12.11 грн
3000+9.98 грн
9000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L015SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
12+26.30 грн
100+17.87 грн
500+13.14 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Виробник : ROHM rq5l015sp-e.pdf Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.00 грн
50+33.01 грн
100+23.71 грн
500+19.72 грн
1500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ5L015SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ5L015SPTL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.