Продукція > ROHM > RQ5P035BGTCL
RQ5P035BGTCL

RQ5P035BGTCL ROHM

rq5p035bgtcl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+29.88 грн
500+19.67 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ5P035BGTCL ROHM

Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції RQ5P035BGTCL за ціною від 14.01 грн до 73.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ5P035BGTCL RQ5P035BGTCL ROHM Semiconductor rq5p035bgtcl-e.pdf MOSFETs 100V 3.5A TSMT3, Power MOSFET
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.18 грн
10+39.69 грн
100+23.54 грн
500+19.61 грн
1000+16.71 грн
3000+15.12 грн
6000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCL RQ5P035BGTCL Rohm Semiconductor rq5p035bgtcl-e.pdf Description: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET :
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.71 грн
100+25.90 грн
500+18.72 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCL RQ5P035BGTCL ROHM rq5p035bgtcl-e.pdf Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.45 грн
18+45.75 грн
100+29.88 грн
500+19.67 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCL rq5p035bgtcl-e.pdf
RQ5P035BGTCL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 100V 3.5A TSMT3, Power MOSFET
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.18 грн
10+39.69 грн
100+23.54 грн
500+19.61 грн
1000+16.71 грн
3000+15.12 грн
6000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCL rq5p035bgtcl-e.pdf
RQ5P035BGTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET :
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.01 грн
10+39.71 грн
100+25.90 грн
500+18.72 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCL rq5p035bgtcl-e.pdf
RQ5P035BGTCL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+73.45 грн
18+45.75 грн
100+29.88 грн
500+19.67 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.