RQ5P035BGTCL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.09 грн |
| 500+ | 18.49 грн |
| 1000+ | 15.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5P035BGTCL ROHM
Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RQ5P035BGTCL за ціною від 14.08 грн до 68.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5P035BGTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 100V 3.5A TSMT3, Power MOSFET |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ5P035BGTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET : Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ5P035BGTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ5P035BGTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET : Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |