RQ6A045APTCR

RQ6A045APTCR Rohm Semiconductor


datasheet?p=RQ6A045AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V
на замовлення 2878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.83 грн
10+ 36.19 грн
100+ 25.17 грн
500+ 18.45 грн
1000+ 15 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6A045APTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V.

Інші пропозиції RQ6A045APTCR за ціною від 14.68 грн до 50.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ6A045APTCR RQ6A045APTCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6A045AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RQ6A045AP is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.99 грн
10+ 42.7 грн
100+ 27.7 грн
500+ 21.79 грн
1000+ 16.87 грн
3000+ 15.01 грн
6000+ 14.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ6A045APTCR RQ6A045APTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6A045AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V
товар відсутній