Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6C050BCTCR
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor

rq6c050bctcr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
428+33.11 грн
446+31.78 грн
500+30.63 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RQ6C050BCTCR за ціною від 20.92 грн до 72.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6C050BCTCR RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+52.09 грн
100+36.04 грн
500+28.26 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor rq6c050bctcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.25 грн
402+35.23 грн
439+32.22 грн
441+30.95 грн
543+23.29 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR RQ6C050BCTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR RQ6C050BCTCR ROHM rq6c050bctcr-e.pdf Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR RQ6C050BCTCR ROHM rq6c050bctcr-e.pdf Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C050BCTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.77 грн
10+52.09 грн
100+36.04 грн
500+28.26 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR rq6c050bctcr-e.pdf
RQ6C050BCTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
196+72.25 грн
402+35.23 грн
439+32.22 грн
441+30.95 грн
543+23.29 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C050BCTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR rq6c050bctcr-e.pdf
RQ6C050BCTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR rq6c050bctcr-e.pdf
RQ6C050BCTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C050BCTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.