Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6C050BCTCR
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+52.20 грн
100+36.12 грн
500+28.32 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції RQ6C050BCTCR за ціною від 23.20 грн до 95.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6C050BCTCR RQ6C050BCTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+58.91 грн
100+33.83 грн
500+26.37 грн
1000+25.68 грн
3000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C050BCTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.04 грн
10+58.91 грн
100+33.83 грн
500+26.37 грн
1000+25.68 грн
3000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050BCTCR datasheet?p=RQ6C050BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C050BCTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.