Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6C065BCTCR
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor

rq6c065bctcr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
481+29.41 грн
500+28.35 грн
1000+27.43 грн
2500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Інші пропозиції RQ6C065BCTCR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6C065BCTCR RQ6C065BCTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6C065BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -20V -6.5A Si MOSFET
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C065BCTCR RQ6C065BCTCR ROHM datasheet?p=RQ6C065BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C065BCTCR RQ6C065BCTCR ROHM datasheet?p=RQ6C065BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C065BCTCR datasheet?p=RQ6C065BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C065BCTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -20V -6.5A Si MOSFET
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C065BCTCR datasheet?p=RQ6C065BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C065BCTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C065BCTCR datasheet?p=RQ6C065BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C065BCTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.