Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6E030ATTCR
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6E030AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.89 грн
10+35.15 грн
100+22.72 грн
500+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm.

Інші пропозиції RQ6E030ATTCR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6E030ATTCR RQ6E030ATTCR ROHM Semiconductor rq6e030attcr_e-1873344.pdf MOSFETs Pch -30V -3A Middle Power MOSFET
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030ATTCR RQ6E030ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6E030AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030ATTCR RQ6E030ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6E030AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030ATTCR rq6e030attcr_e-1873344.pdf
RQ6E030ATTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V -3A Middle Power MOSFET
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030ATTCR datasheet?p=RQ6E030AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E030ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030ATTCR datasheet?p=RQ6E030AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E030ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.