Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6E035ATTCR
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.02 грн
14+22.13 грн
100+10.93 грн
500+9.72 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6E035ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

Інші пропозиції RQ6E035ATTCR за ціною від 6.80 грн до 41.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6E035ATTCR RQ6E035ATTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -3.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 4294 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+41.12 грн
17+18.17 грн
100+13.82 грн
500+10.46 грн
3000+9.43 грн
6000+7.90 грн
9000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR RQ6E035ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR ROHM - Japan datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E035ATTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -3.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 4294 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.12 грн
17+18.17 грн
100+13.82 грн
500+10.46 грн
3000+9.43 грн
6000+7.90 грн
9000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E035ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM - Japan
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.