на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 30.30 грн |
| 15+ | 23.18 грн |
| 100+ | 11.04 грн |
| 1000+ | 7.65 грн |
| 3000+ | 7.36 грн |
| 9000+ | 6.03 грн |
| 24000+ | 5.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ6E035ATTCR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ6E035ATTCR за ціною від 9.14 грн до 38.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ6E035ATTCR | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RQ6E035ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RQ6E035ATTCR | Виробник : ROHM - Japan |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RQ6E035ATTCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RQ6E035ATTCR SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
RQ6E035ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |