Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6E035SPTR
RQ6E035SPTR

RQ6E035SPTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6E035SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
10+39.22 грн
100+27.16 грн
500+21.30 грн
1000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6E035SPTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RQ6E035SPTR за ціною від 15.49 грн до 50.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ6E035SPTR RQ6E035SPTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6E035SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RQ6E035SP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.
на замовлення 7118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.17 грн
10+43.04 грн
100+25.91 грн
500+21.65 грн
1000+18.42 грн
3000+16.37 грн
6000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035SPTR RQ6E035SPTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E035SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.