RQ6E035SPTR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.72 грн |
| 10+ | 38.28 грн |
| 100+ | 26.51 грн |
| 500+ | 20.79 грн |
| 1000+ | 17.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ6E035SPTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RQ6E035SPTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ6E035SPTR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET |
на замовлення 6656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RQ6E035SPTR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET
MOSFETs Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 6656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)