на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.68 грн |
| 12+ | 30.11 грн |
| 100+ | 14.55 грн |
| 1000+ | 9.92 грн |
| 3000+ | 8.65 грн |
| 9000+ | 7.83 грн |
| 24000+ | 7.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ6E045BNTCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RQ6E045BNTCR за ціною від 11.62 грн до 47.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ6E045BNTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RQ6E045BNTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RQ6E045BNTCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RQ6E045BNTCR SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
RQ6E045BNTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |