Продукція > ROHM > RQ6E050AJTCR
RQ6E050AJTCR

RQ6E050AJTCR ROHM

datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+27.79 грн
500+18.25 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6E050AJTCR ROHM

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції RQ6E050AJTCR за ціною від 13.05 грн до 68.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6E050AJTCR RQ6E050AJTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 5.0A(Id), (2.5V Drive)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+38.90 грн
100+22.71 грн
500+18.22 грн
1000+16.50 грн
3000+14.22 грн
6000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050AJTCR RQ6E050AJTCR ROHM datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.22 грн
19+42.52 грн
100+27.79 грн
500+18.25 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050AJTCR RQ6E050AJTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+41.81 грн
100+27.44 грн
500+19.87 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050AJTCR datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050AJTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 5.0A(Id), (2.5V Drive)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.60 грн
10+38.90 грн
100+22.71 грн
500+18.22 грн
1000+16.50 грн
3000+14.22 грн
6000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050AJTCR datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050AJTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+68.22 грн
19+42.52 грн
100+27.79 грн
500+18.25 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050AJTCR datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.34 грн
10+41.81 грн
100+27.44 грн
500+19.87 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.