Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6E050ATTCR
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6E050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Інші пропозиції RQ6E050ATTCR за ціною від 11.18 грн до 63.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6E050ATTCR RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
12+25.65 грн
100+19.41 грн
500+15.70 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR RQ6E050ATTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 15496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+35.88 грн
100+20.50 грн
500+15.67 грн
1000+14.15 грн
3000+12.08 грн
6000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR RQ6E050ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.71 грн
21+39.38 грн
100+25.53 грн
500+18.17 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.84 грн
12+25.65 грн
100+19.41 грн
500+15.70 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050ATTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 15496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.51 грн
10+35.88 грн
100+20.50 грн
500+15.67 грн
1000+14.15 грн
3000+12.08 грн
6000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6E050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+63.71 грн
21+39.38 грн
100+25.53 грн
500+18.17 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.