Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6E060ATTCR
RQ6E060ATTCR

RQ6E060ATTCR ROHM Semiconductor

rq6e060attcr_e-1873310.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs RQ6E060AT is low on-resistance MOSFET for switching and load switch.
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.68 грн
10+51.95 грн
100+31.27 грн
500+26.12 грн
1000+22.22 грн
3000+19.79 грн
6000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6E060ATTCR ROHM Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RQ6E060ATTCR за ціною від 25.12 грн до 87.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ6E060ATTCR RQ6E060ATTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.54 грн
10+52.49 грн
100+34.50 грн
500+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E060ATTCR RQ6E060ATTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.