Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6E080AJTCR
RQ6E080AJTCR

RQ6E080AJTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6E080AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.16 грн
10+52.25 грн
100+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6E080AJTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RQ6E080AJTCR за ціною від 18.77 грн до 93.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6E080AJTCR RQ6E080AJTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6E080AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 8.0A(Id), (2.5V Drive)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+93.59 грн
10+57.98 грн
100+33.27 грн
500+25.76 грн
1000+23.40 грн
3000+20.31 грн
6000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E080AJTCR RQ6E080AJTCR ROHM datasheet?p=RQ6E080AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E080AJTCR RQ6E080AJTCR ROHM datasheet?p=RQ6E080AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E080AJTCR datasheet?p=RQ6E080AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E080AJTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 8.0A(Id), (2.5V Drive)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.59 грн
10+57.98 грн
100+33.27 грн
500+25.76 грн
1000+23.40 грн
3000+20.31 грн
6000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E080AJTCR datasheet?p=RQ6E080AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E080AJTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E080AJTCR datasheet?p=RQ6E080AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E080AJTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.