RQ6E085BNTCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ6E085BNTCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RQ6E085BNTCR за ціною від 24.13 грн до 71.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RQ6E085BNTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
на замовлення 3343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ6E085BNTCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET |
на замовлення 3853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RQ6E085BNTCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RQ6E085BNTCR SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |