Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6G050ATTCR
RQ6G050ATTCR

RQ6G050ATTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.29 грн
9000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6G050ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Інші пропозиції RQ6G050ATTCR за ціною від 23.01 грн до 104.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6G050ATTCR RQ6G050ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 14048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.31 грн
10+57.10 грн
50+42.51 грн
100+35.45 грн
500+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR RQ6G050ATTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+104.32 грн
10+48.38 грн
100+37.38 грн
500+29.17 грн
1000+28.58 грн
3000+23.16 грн
6000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR RQ6G050ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR RQ6G050ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6G050ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 14048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.31 грн
10+57.10 грн
50+42.51 грн
100+35.45 грн
500+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6G050ATTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.32 грн
10+48.38 грн
100+37.38 грн
500+29.17 грн
1000+28.58 грн
3000+23.16 грн
6000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6G050ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6G050ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.