Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6L020SPTCR
RQ6L020SPTCR

RQ6L020SPTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6L020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6L020SPTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SMD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

Інші пропозиції RQ6L020SPTCR за ціною від 31.27 грн до 113.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6L020SPTCR RQ6L020SPTCR Rohm Semiconductor rq6l020sptcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+53.42 грн
276+51.28 грн
500+49.44 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR RQ6L020SPTCR Rohm Semiconductor rq6l020sptcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.68 грн
249+56.86 грн
500+47.43 грн
1000+45.46 грн
3000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR RQ6L020SPTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6L020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+69.47 грн
100+46.40 грн
500+34.26 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR RQ6L020SPTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6L020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -60V 2A 1.25W SOT-457T
на замовлення 17938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR RQ6L020SPTCR ROHM rq6l020sptcr-e.pdf Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 9119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR RQ6L020SPTCR ROHM rq6l020sptcr-e.pdf Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 9119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR rq6l020sptcr-e.pdf
RQ6L020SPTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
265+53.42 грн
276+51.28 грн
500+49.44 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR rq6l020sptcr-e.pdf
RQ6L020SPTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+69.68 грн
249+56.86 грн
500+47.43 грн
1000+45.46 грн
3000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR datasheet?p=RQ6L020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6L020SPTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.91 грн
10+69.47 грн
100+46.40 грн
500+34.26 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR datasheet?p=RQ6L020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6L020SPTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -60V 2A 1.25W SOT-457T
на замовлення 17938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR rq6l020sptcr-e.pdf
RQ6L020SPTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 9119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L020SPTCR rq6l020sptcr-e.pdf
RQ6L020SPTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 9119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.