Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6L035ATTCR
RQ6L035ATTCR

RQ6L035ATTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6L035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.58 грн
6000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6L035ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.078 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.

Інші пропозиції RQ6L035ATTCR за ціною від 25.43 грн до 114.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6L035ATTCR RQ6L035ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6L035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
на замовлення 7733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+57.81 грн
100+38.22 грн
500+27.97 грн
1000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L035ATTCR RQ6L035ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6L035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.078 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.37 грн
13+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L035ATTCR RQ6L035ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6L035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.078 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L035ATTCR datasheet?p=RQ6L035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6L035ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
на замовлення 7733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.76 грн
10+57.81 грн
100+38.22 грн
500+27.97 грн
1000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L035ATTCR datasheet?p=RQ6L035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6L035ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.078 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+114.37 грн
13+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6L035ATTCR datasheet?p=RQ6L035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6L035ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.078 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.