Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ7G080BGTCR
RQ7G080BGTCR

RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+51.07 грн
100+38.70 грн
500+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor

Description: NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RQ7G080BGTCR за ціною від 28.18 грн до 84.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET LOW POWER MOSFET
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.42 грн
10+67.86 грн
100+45.94 грн
500+38.90 грн
1000+35.59 грн
3000+30.24 грн
9000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.