Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ7G080BGTCR
RQ7G080BGTCR

RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.89 грн
10+49.96 грн
100+37.86 грн
500+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ7G080BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm.

Інші пропозиції RQ7G080BGTCR за ціною від 26.51 грн до 95.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET LOW POWER MOSFET
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.41 грн
10+63.83 грн
100+43.22 грн
500+36.59 грн
1000+33.48 грн
3000+28.44 грн
9000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR ROHM datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ7G080BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.04 грн
15+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR ROHM datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ7G080BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7G080BGTCR datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7G080BGTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET LOW POWER MOSFET
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+79.41 грн
10+63.83 грн
100+43.22 грн
500+36.59 грн
1000+33.48 грн
3000+28.44 грн
9000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7G080BGTCR datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7G080BGTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ7G080BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+95.04 грн
15+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7G080BGTCR datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7G080BGTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ7G080BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.