Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ7L050ATTCR
RQ7L050ATTCR

RQ7L050ATTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ7L050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -5A SMALL SIGNAL POWER
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ7L050ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ7L050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.039 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.

Інші пропозиції RQ7L050ATTCR за ціною від 29.82 грн до 150.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ7L050ATTCR RQ7L050ATTCR ROHM datasheet?p=RQ7L050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ7L050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.039 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.91 грн
500+42.63 грн
1000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7L050ATTCR RQ7L050ATTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ7L050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -60V -5A Small Signal Power MOSFET
на замовлення 7026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.59 грн
10+69.94 грн
100+44.04 грн
500+35.00 грн
1000+32.31 грн
3000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7L050ATTCR RQ7L050ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ7L050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -5A SMALL SIGNAL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+74.56 грн
100+51.38 грн
500+38.06 грн
1000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7L050ATTCR RQ7L050ATTCR ROHM datasheet?p=RQ7L050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ7L050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.039 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.61 грн
10+87.79 грн
100+57.91 грн
500+42.63 грн
1000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7L050ATTCR datasheet?p=RQ7L050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7L050ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ7L050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.039 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+57.91 грн
500+42.63 грн
1000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7L050ATTCR datasheet?p=RQ7L050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7L050ATTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -60V -5A Small Signal Power MOSFET
на замовлення 7026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.59 грн
10+69.94 грн
100+44.04 грн
500+35.00 грн
1000+32.31 грн
3000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7L050ATTCR datasheet?p=RQ7L050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7L050ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -5A SMALL SIGNAL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.72 грн
10+74.56 грн
100+51.38 грн
500+38.06 грн
1000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7L050ATTCR datasheet?p=RQ7L050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7L050ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ7L050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.039 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.61 грн
10+87.79 грн
100+57.91 грн
500+42.63 грн
1000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.