Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ7L055BGTCR

RQ7L055BGTCR Rohm Semiconductor

Name: RQ7L055BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 13617438-3
Price: 362.67 UAH
Availability: InStock

datasheet?p=RQ7L055BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V

на замовлення 2958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	120.89 грн
10+	73.87 грн
100+	49.33 грн
500+	36.44 грн
1000+	33.26 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RQ7L055BGTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ7L055BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.029 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm.

Інші пропозиції RQ7L055BGTCR

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	RQ7L055BGTCR	ROHM Semiconductor	MOSFETs TSMT8 N-CH 60V 5.5A	на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RQ7L055BGTCR	ROHM	Description: ROHM - RQ7L055BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.029 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm	на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

RQ7L055BGTCR

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TSMT8 N-CH 60V 5.5A

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ7L055BGTCR

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ7L055BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.029 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.