Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ7L055BGTCR
RQ7L055BGTCR

RQ7L055BGTCR ROHM Semiconductor

datasheet?p=RQ7L055BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TSMT8 N-CH 60V 5.5A
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.90 грн
10+65.24 грн
100+37.67 грн
500+29.73 грн
1000+28.59 грн
3000+24.05 грн
6000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ7L055BGTCR ROHM Semiconductor

Description: NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RQ7L055BGTCR за ціною від 35.12 грн до 127.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ7L055BGTCR RQ7L055BGTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ7L055BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.65 грн
10+78.01 грн
100+52.09 грн
500+38.47 грн
1000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7L055BGTCR RQ7L055BGTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ7L055BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.