Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RQA0002DNSTB-E

RQA0002DNSTB-E

Код товару: 127608
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RQA0002DNSTB-E за ціною від 293.34 грн до 293.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQA0002DNSTB-E Renesas Description: RQA0002DNS - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-DFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1mA
Supplier Device Package: 2-HWSON (5x4)
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 0 V
на замовлення 9270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+293.34 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQA0002DNSTB-E
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQA0002DNSTB-E
Виробник: Renesas
Description: RQA0002DNS - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-DFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1mA
Supplier Device Package: 2-HWSON (5x4)
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 0 V
на замовлення 9270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
76+293.34 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQA0002DNSTB-E
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.