RQA0002DNSTB-E Renesas
Виробник: Renesas
Description: RQA0002DNS - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-DFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1mA
Supplier Device Package: 2-HWSON (5x4)
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 0 V
Description: RQA0002DNS - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-DFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1mA
Supplier Device Package: 2-HWSON (5x4)
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 0 V
на замовлення 9270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 266.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQA0002DNSTB-E Renesas
Description: RQA0002DNS - N CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-DFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1mA, Supplier Device Package: 2-HWSON (5x4), Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 0 V.
Інші пропозиції RQA0002DNSTB-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RQA0002DNSTB-E |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
|
RQA0002DNSTB-E Код товару: 127608 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|