RR1VWM6STFTR ROHM Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.64 грн |
| 17+ | 18.65 грн |
| 100+ | 12.84 грн |
| 500+ | 10.06 грн |
| 1000+ | 9.01 грн |
| 3000+ | 5.71 грн |
| 6000+ | 5.56 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RR1VWM6STFTR ROHM Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: PMDE, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RR1VWM6STFTR за ціною від 7.67 грн до 29.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RR1VWM6STFTR | Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PMDE Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RR1VWM6STFTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.30 грн |
| 15+ | 21.65 грн |
| 100+ | 12.99 грн |
| 500+ | 11.29 грн |
| 1000+ | 7.67 грн |