RRF015P03GTL Rohm Semiconductor


rrf015p03tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.98 грн
6000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRF015P03GTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RRF015P03GTL за ціною від 6.56 грн до 42.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRF015P03GTL RRF015P03GTL ROHM Semiconductor rrf015p03tl-e.pdf MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
14+23.98 грн
100+13.32 грн
500+10.01 грн
1000+8.97 грн
3000+7.59 грн
6000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL RRF015P03GTL Rohm Semiconductor rrf015p03tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 9752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.13 грн
100+12.48 грн
500+11.11 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL rrf015p03tl-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+39.46 грн
14+23.98 грн
100+13.32 грн
500+10.01 грн
1000+8.97 грн
3000+7.59 грн
6000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL rrf015p03tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 9752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.71 грн
12+25.13 грн
100+12.48 грн
500+11.11 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.