Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRH050P03GZETB
RRH050P03GZETB

RRH050P03GZETB Rohm Semiconductor

rrh050p03tb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
262+47.41 грн
273+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRH050P03GZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 650mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RRH050P03GZETB за ціною від 36.66 грн до 82.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RRH050P03GZETB RRH050P03GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rrh050p03tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
262+47.41 грн
273+45.51 грн
500+43.86 грн
1000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
RRH050P03GZETB RRH050P03GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rrh050p03tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
262+47.41 грн
273+45.51 грн
500+43.86 грн
1000+40.92 грн
2500+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
RRH050P03GZETB RRH050P03GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rrh050p03tb1-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.10 грн
10+52.92 грн
100+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RRH050P03GZETB RRH050P03GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rrh050p03tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRH050P03GZETB RRH050P03GZETB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92C4172DA578A0D3&compId=rrh050p03.pdf?ci_sign=45dbc6970629bc8b4c6d4bdef38ac9a6639c1320 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2W; SOP8; ESD
Case: SOP8
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.