Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRH100P03TB1

RRH100P03TB1 ROHM Semiconductor

Name: RRH100P03TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 147260-4
Price: 391.38 UAH
Availability: InStock

datasheet?p=RRH100P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V -10A MOSFET

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	130.46 грн
10+	106.60 грн
100+	74.30 грн
250+	68.71 грн
500+	62.31 грн
1000+	53.41 грн
2500+	49.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RRH100P03TB1 ROHM Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 650mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RRH100P03TB1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
RRH100P03TB1	Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR	RRH100P03TB1 SMD P channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
RRH100P03TB1	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
RRH100P03TB1	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.