Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRH140P03GZETB
RRH140P03GZETB

RRH140P03GZETB Rohm Semiconductor

4936300196830421rrh140p03tb1-e.pd.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+197.45 грн
104+137.15 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRH140P03GZETB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Інші пропозиції RRH140P03GZETB за ціною від 138.07 грн до 246.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRH140P03GZETB RRH140P03GZETB ROHM rrh140p03tb1-e.pdf Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+201.35 грн
500+162.29 грн
1000+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03GZETB RRH140P03GZETB Rohm Semiconductor rrh140p03tb1-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.23 грн
10+190.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03GZETB RRH140P03GZETB ROHM Semiconductor rrh140p03tb1-e.pdf MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET SOP8 Pch
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03GZETB RRH140P03GZETB ROHM rrh140p03tb1-e.pdf Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.45 грн
10+227.12 грн
100+201.35 грн
500+162.29 грн
1000+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03GZETB rrh140p03tb1-e.pdf
RRH140P03GZETB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+201.35 грн
500+162.29 грн
1000+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03GZETB rrh140p03tb1-e.pdf
RRH140P03GZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.23 грн
10+190.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03GZETB rrh140p03tb1-e.pdf
RRH140P03GZETB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET SOP8 Pch
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03GZETB rrh140p03tb1-e.pdf
RRH140P03GZETB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+246.45 грн
10+227.12 грн
100+201.35 грн
500+162.29 грн
1000+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.