RRH140P03TB1

RRH140P03TB1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RRH140P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRH140P03TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RRH140P03TB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції RRH140P03TB1 за ціною від 73.39 грн до 165.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RRH140P03TB1 RRH140P03TB1 Виробник : ROHM rrh140p03tb1-e.pdf Description: ROHM - RRH140P03TB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.15 грн
500+81.04 грн
1000+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03TB1 RRH140P03TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RRH140P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -30V -14A MOSFET
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.55 грн
10+124.07 грн
100+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03TB1 RRH140P03TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RRH140P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V
на замовлення 13274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.63 грн
10+120.94 грн
100+87.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03TB1 RRH140P03TB1 Виробник : ROHM rrh140p03tb1-e.pdf Description: ROHM - RRH140P03TB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.48 грн
10+124.32 грн
100+97.15 грн
500+81.04 грн
1000+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03TB1 datasheet?p=RRH140P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRH140P03TB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RRH140P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.