RRL025P03FRATR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 588+ | 24.52 грн |
| 610+ | 23.64 грн |
| 1000+ | 22.86 грн |
| 2500+ | 21.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
588 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RRL025P03FRATR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.075 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Інші пропозиції RRL025P03FRATR за ціною від 9.76 грн до 61.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RRL025P03FRATR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RRL025P03FRATR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RRL025P03FRATR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -30V Vds -2.5A 0.095Rds(on) 5.2Qg |
на замовлення 28 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RRL025P03FRATR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RRL025P03FRATR | ROHM |
Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.075 ohm, TUMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| RRL025P03FRATR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 588+ | 24.52 грн |
| 610+ | 23.64 грн |
| RRL025P03FRATR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.15 грн |
| 10+ | 33.42 грн |
| 100+ | 21.54 грн |
| 500+ | 15.39 грн |
| RRL025P03FRATR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V Vds -2.5A 0.095Rds(on) 5.2Qg
MOSFETs Pch -30V Vds -2.5A 0.095Rds(on) 5.2Qg
на замовлення 28 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.35 грн |
| 10+ | 36.31 грн |
| 100+ | 20.33 грн |
| 500+ | 15.53 грн |
| 3000+ | 11.17 грн |
| 6000+ | 10.43 грн |
| 24000+ | 9.76 грн |
| RRL025P03FRATR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 233+ | 61.79 грн |
| 282+ | 51.10 грн |
| 507+ | 28.44 грн |
| 509+ | 27.30 грн |
| RRL025P03FRATR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.075 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.075 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





