Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRL025P03FRATR
RRL025P03FRATR

RRL025P03FRATR Rohm Semiconductor

10rrl025p03fra-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
588+24.09 грн
610+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRL025P03FRATR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RRL025P03FRATR за ціною від 15.30 грн до 60.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRL025P03FRATR RRL025P03FRATR Rohm Semiconductor 10rrl025p03fra-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+24.09 грн
610+23.22 грн
1000+22.46 грн
2500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR RRL025P03FRATR Rohm Semiconductor datasheet?p=RRL025P03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.79 грн
10+33.21 грн
100+21.40 грн
500+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR RRL025P03FRATR Rohm Semiconductor 10rrl025p03fra-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+60.70 грн
282+50.21 грн
507+27.94 грн
509+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR RRL025P03FRATR ROHM Semiconductor datasheet?p=RRL025P03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -30V Vds -2.5A 0.095Rds(on) 5.2Qg
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR RRL025P03FRATR ROHM datasheet?p=RRL025P03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR RRL025P03FRATR ROHM datasheet?p=RRL025P03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR 10rrl025p03fra-e.pdf
RRL025P03FRATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
588+24.09 грн
610+23.22 грн
1000+22.46 грн
2500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR datasheet?p=RRL025P03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRL025P03FRATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.79 грн
10+33.21 грн
100+21.40 грн
500+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR 10rrl025p03fra-e.pdf
RRL025P03FRATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
233+60.70 грн
282+50.21 грн
507+27.94 грн
509+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR datasheet?p=RRL025P03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRL025P03FRATR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V Vds -2.5A 0.095Rds(on) 5.2Qg
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR datasheet?p=RRL025P03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRL025P03FRATR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATR datasheet?p=RRL025P03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRL025P03FRATR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.