RRL025P03TR Rohm Semiconductor


RRL025P03.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRL025P03TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RRL025P03TR за ціною від 14.97 грн до 82.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRL025P03TR RRL025P03TR Rohm Semiconductor rrl025p03.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+38.11 грн
401+36.58 грн
500+35.26 грн
1000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Rohm Semiconductor rrl025p03.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+38.11 грн
401+36.58 грн
500+35.26 грн
1000+32.89 грн
2500+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR ROHM Semiconductor RRL025P03.pdf MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -2.5A
на замовлення 3108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+49.86 грн
10+40.84 грн
100+26.56 грн
500+21.52 грн
1000+18.13 грн
3000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Rohm Semiconductor rrl025p03.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+67.38 грн
240+61.28 грн
324+45.29 грн
325+43.55 грн
500+33.79 грн
1000+27.62 грн
3000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Rohm Semiconductor RRL025P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.52 грн
10+49.44 грн
100+32.33 грн
500+23.46 грн
1000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR rrl025p03.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
385+38.11 грн
401+36.58 грн
500+35.26 грн
1000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR rrl025p03.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
385+38.11 грн
401+36.58 грн
500+35.26 грн
1000+32.89 грн
2500+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -2.5A
на замовлення 3108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.86 грн
10+40.84 грн
100+26.56 грн
500+21.52 грн
1000+18.13 грн
3000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR rrl025p03.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+67.38 грн
240+61.28 грн
324+45.29 грн
325+43.55 грн
500+33.79 грн
1000+27.62 грн
3000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.52 грн
10+49.44 грн
100+32.33 грн
500+23.46 грн
1000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.