Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRL025P03TR
RRL025P03TR

RRL025P03TR Rohm Semiconductor

RRL025P03.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRL025P03TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RRL025P03TR за ціною від 13.84 грн до 81.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RRL025P03TR RRL025P03TR Виробник : Rohm Semiconductor rrl025p03.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
385+36.31 грн
401+34.85 грн
500+33.59 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Виробник : Rohm Semiconductor rrl025p03.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
385+36.31 грн
401+34.85 грн
500+33.59 грн
1000+31.33 грн
2500+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Виробник : ROHM Semiconductor RRL025P03.pdf MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -2.5A
на замовлення 3108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.08 грн
10+37.75 грн
100+24.55 грн
500+19.89 грн
1000+16.76 грн
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Виробник : Rohm Semiconductor rrl025p03.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+64.19 грн
240+58.38 грн
324+43.15 грн
325+41.49 грн
500+32.19 грн
1000+26.31 грн
3000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Виробник : Rohm Semiconductor RRL025P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.36 грн
10+48.74 грн
100+31.87 грн
500+23.13 грн
1000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.