Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRL025P03TR
RRL025P03TR

RRL025P03TR Rohm Semiconductor

RRL025P03.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRL025P03TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RRL025P03TR за ціною від 16.15 грн до 82.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RRL025P03TR RRL025P03TR Виробник : Rohm Semiconductor rrl025p03.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
385+31.67 грн
401+30.40 грн
500+29.30 грн
1000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Виробник : Rohm Semiconductor rrl025p03.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
385+31.67 грн
401+30.40 грн
500+29.30 грн
1000+27.33 грн
2500+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Виробник : ROHM Semiconductor RRL025P03.pdf MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -2.5A
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.80 грн
10+44.31 грн
100+28.26 грн
500+21.28 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Виробник : Rohm Semiconductor rrl025p03.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+55.99 грн
240+50.92 грн
324+37.63 грн
325+36.19 грн
500+28.07 грн
1000+22.95 грн
3000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TR RRL025P03TR Виробник : Rohm Semiconductor RRL025P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.56 грн
10+49.46 грн
100+32.35 грн
500+23.47 грн
1000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.