RRL035P03FRATR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RRL035P03FRATR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RRL035P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.036 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RRL035P03FRATR за ціною від 10.30 грн до 59.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RRL035P03FRATR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RRL035P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.036 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RRL035P03FRATR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RRL035P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.036 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RRL035P03FRATR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -30V Vds -3.5A 0.058Rds(on) 8Qg |
на замовлення 4615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RRL035P03FRATR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RRL035P03FRATR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -14A Case: SOT363 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
RRL035P03FRATR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -14A Case: SOT363 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W |
товару немає в наявності |