Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRL035P03TR
RRL035P03TR

RRL035P03TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RRL035P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRL035P03TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RRL035P03TR за ціною від 9.49 грн до 52.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RRL035P03TR RRL035P03TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RRL035P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 6352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.88 грн
12+28.48 грн
100+18.80 грн
500+13.41 грн
1000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03TR RRL035P03TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RRL035P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.89 грн
12+30.05 грн
100+17.70 грн
500+13.78 грн
1000+12.35 грн
3000+10.17 грн
6000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03TR datasheet?p=RRL035P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03TR RRL035P03TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92C4929CF56F80D3&compId=rrl035p03.pdf?ci_sign=fea1f8812495f80f776e8ae88b9a8d6ed536ccc2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.