Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRQ020P03TCR
RRQ020P03TCR

RRQ020P03TCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RRQ020P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
13+24.62 грн
100+17.10 грн
500+12.53 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRQ020P03TCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RRQ020P03TCR за ціною від 8.07 грн до 46.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RRQ020P03TCR RRQ020P03TCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RRQ020P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Trans MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.85 грн
13+26.67 грн
100+16.15 грн
500+12.62 грн
1000+10.27 грн
3000+8.66 грн
9000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ020P03TCR RRQ020P03TCR Виробник : Rohm Semiconductor rrq020p03tcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
262+46.51 грн
273+44.65 грн
500+43.03 грн
1000+40.14 грн
2500+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ020P03TCR RRQ020P03TCR Виробник : Rohm Semiconductor rrq020p03tcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
262+46.51 грн
273+44.65 грн
500+43.03 грн
1000+40.14 грн
2500+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ020P03TCR RRQ020P03TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RRQ020P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.