Продукція > ROHM > RRQ045P03HZGTR
RRQ045P03HZGTR

RRQ045P03HZGTR ROHM

datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.19 грн
500+61.54 грн
1000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRQ045P03HZGTR ROHM

Description: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 4.5, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25, Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції RRQ045P03HZGTR за ціною від 34.93 грн до 151.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RRQ045P03HZGTR RRQ045P03HZGTR Виробник : ROHM datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.44 грн
10+102.91 грн
100+80.19 грн
500+61.54 грн
1000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTR RRQ045P03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.90 грн
10+87.61 грн
100+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTR RRQ045P03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.55 грн
10+96.22 грн
100+56.14 грн
500+49.32 грн
1000+41.76 грн
3000+37.80 грн
6000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTR RRQ045P03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.