Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRQ045P03HZGTR
RRQ045P03HZGTR

RRQ045P03HZGTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.75 грн
10+83.26 грн
100+56.06 грн
500+41.66 грн
1000+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRQ045P03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RRQ045P03HZGTR за ціною від 32.80 грн до 147.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRQ045P03HZGTR RRQ045P03HZGTR ROHM Semiconductor datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+147.61 грн
10+69.64 грн
100+54.12 грн
500+42.93 грн
1000+41.76 грн
3000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTR RRQ045P03HZGTR ROHM datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTR RRQ045P03HZGTR ROHM datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTR ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -4.5A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
175+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTR datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRQ045P03HZGTR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.61 грн
10+69.64 грн
100+54.12 грн
500+42.93 грн
1000+41.76 грн
3000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTR datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRQ045P03HZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTR datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRQ045P03HZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTR datasheet?p=RRQ045P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -4.5A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.