Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRR015P03TL
RRR015P03TL

RRR015P03TL Rohm Semiconductor

RRR015P03.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRR015P03TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Supplier Device Package: TSMT3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-96, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RRR015P03TL за ціною від 14.16 грн до 57.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRR015P03TL RRR015P03TL Rohm Semiconductor RRR015P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.34 грн
10+34.18 грн
100+22.00 грн
500+15.74 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL RRR015P03TL ROHM Semiconductor RRR015P03.pdf MOSFETs 4V DRIVE PCH MOSFET
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL RRR015P03.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL RRR015P03.pdf
RRR015P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.34 грн
10+34.18 грн
100+22.00 грн
500+15.74 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL RRR015P03.pdf
RRR015P03TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V DRIVE PCH MOSFET
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL RRR015P03.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.