RRR030P03HZGTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.66 грн |
| 500+ | 22.94 грн |
| 1000+ | 18.02 грн |
| 5000+ | 16.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RRR030P03HZGTL ROHM
Description: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RRR030P03HZGTL за ціною від 15.24 грн до 55.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RRR030P03HZGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Version: ESD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -12A Drain current: -3A Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 75mΩ Case: SOT346 Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RRR030P03HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RRR030P03HZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RRR030P03HZG is a MOSFET with low on - resistance, suitable for DC-DC converters. |
на замовлення 3167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RRR030P03HZGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Version: ESD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -12A Drain current: -3A Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 75mΩ Case: SOT346 Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RRR030P03HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RRR030P03HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |