Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRR030P03HZGTL
RRR030P03HZGTL

RRR030P03HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR

rrr030p03hzgtl.pdf
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.43 грн
11+39.04 грн
100+25.50 грн
500+19.64 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRR030P03HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-346T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

Інші пропозиції RRR030P03HZGTL за ціною від 15.14 грн до 78.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRR030P03HZGTL RRR030P03HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RRR030P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 709 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+78.50 грн
10+48.19 грн
100+27.35 грн
500+21.06 грн
1000+19.67 грн
3000+17.33 грн
6000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTL RRR030P03HZGTL ROHM datasheet?p=RRR030P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTL RRR030P03HZGTL ROHM datasheet?p=RRR030P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTL datasheet?p=RRR030P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRR030P03HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 709 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.50 грн
10+48.19 грн
100+27.35 грн
500+21.06 грн
1000+19.67 грн
3000+17.33 грн
6000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTL datasheet?p=RRR030P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRR030P03HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTL datasheet?p=RRR030P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRR030P03HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.