Продукція > ROHM > RRR030P03TL
RRR030P03TL

RRR030P03TL ROHM


Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+14.18 грн
500+13.01 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRR030P03TL ROHM

Description: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RRR030P03TL за ціною від 10.84 грн до 60.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRR030P03TL RRR030P03TL ROHM Description: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.42 грн
57+14.26 грн
100+14.18 грн
500+13.01 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TL RRR030P03TL ROHM Semiconductor MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -3A
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.18 грн
10+37.79 грн
100+21.95 грн
500+17.12 грн
1000+14.64 грн
3000+11.94 грн
9000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.35 грн
100+23.57 грн
500+16.95 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TL
RRR030P03TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+14.42 грн
57+14.26 грн
100+14.18 грн
500+13.01 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TL
RRR030P03TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -3A
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.18 грн
10+37.79 грн
100+21.95 грн
500+17.12 грн
1000+14.64 грн
3000+11.94 грн
9000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.58 грн
10+36.35 грн
100+23.57 грн
500+16.95 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.