Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRR040P03HZGTL
RRR040P03HZGTL

RRR040P03HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RRR040P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRR040P03HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RRR040P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RRR040P03HZGTL за ціною від 20.53 грн до 100.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRR040P03HZGTL RRR040P03HZGTL Rohm Semiconductor rrr040p03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+26.48 грн
550+26.35 грн
595+24.39 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTL RRR040P03HZGTL Rohm Semiconductor rrr040p03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+51.73 грн
500+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTL RRR040P03HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RRR040P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.37 грн
10+55.84 грн
50+41.47 грн
100+34.57 грн
500+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTL RRR040P03HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RRR040P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+100.46 грн
10+62.13 грн
100+35.70 грн
500+27.82 грн
1000+25.24 грн
3000+21.93 грн
6000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTL RRR040P03HZGTL ROHM datasheet?p=RRR040P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RRR040P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTL rrr040p03hzgtl-e.pdf
RRR040P03HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
548+26.48 грн
550+26.35 грн
595+24.39 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTL rrr040p03hzgtl-e.pdf
RRR040P03HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+51.73 грн
500+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTL datasheet?p=RRR040P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRR040P03HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.37 грн
10+55.84 грн
50+41.47 грн
100+34.57 грн
500+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTL datasheet?p=RRR040P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRR040P03HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.46 грн
10+62.13 грн
100+35.70 грн
500+27.82 грн
1000+25.24 грн
3000+21.93 грн
6000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTL datasheet?p=RRR040P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRR040P03HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRR040P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.