Продукція > ROHM > RRS050P03HZGTB
RRS050P03HZGTB

RRS050P03HZGTB ROHM

rrs050p03hzgtb-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRS050P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.05 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+55.49 грн
500+38.22 грн
1000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRS050P03HZGTB ROHM

Description: ROHM - RRS050P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.05 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RRS050P03HZGTB за ціною від 31.41 грн до 134.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRS050P03HZGTB RRS050P03HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RRS050P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+77.17 грн
100+47.15 грн
500+37.28 грн
1000+34.17 грн
2500+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRS050P03HZGTB RRS050P03HZGTB ROHM rrs050p03hzgtb-e.pdf Description: ROHM - RRS050P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.05 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.45 грн
11+80.14 грн
100+55.49 грн
500+38.22 грн
1000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRS050P03HZGTB RRS050P03HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RRS050P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -5A POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.64 грн
100+55.53 грн
500+41.22 грн
1000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRS050P03HZGTB datasheet?p=RRS050P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRS050P03HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.45 грн
10+77.17 грн
100+47.15 грн
500+37.28 грн
1000+34.17 грн
2500+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRS050P03HZGTB rrs050p03hzgtb-e.pdf
RRS050P03HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRS050P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.05 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+126.45 грн
11+80.14 грн
100+55.49 грн
500+38.22 грн
1000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRS050P03HZGTB datasheet?p=RRS050P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRS050P03HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -5A POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.36 грн
10+82.64 грн
100+55.53 грн
500+41.22 грн
1000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.