Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRS090P03HZGTB
RRS090P03HZGTB

RRS090P03HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR

datasheet?p=RRS090P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -9A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+68.19 грн
100+57.22 грн
300+53.16 грн
500+52.15 грн
1000+46.47 грн
2000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRS090P03HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm.

Інші пропозиції RRS090P03HZGTB за ціною від 54.68 грн до 172.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RRS090P03HZGTB RRS090P03HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RRS090P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -9A POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.47 грн
10+106.74 грн
50+81.08 грн
100+68.32 грн
500+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRS090P03HZGTB RRS090P03HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RRS090P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRS090P03HZGTB RRS090P03HZGTB ROHM rrs090p03hzgtb-e.pdf Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRS090P03HZGTB RRS090P03HZGTB ROHM rrs090p03hzgtb-e.pdf Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRS090P03HZGTB datasheet?p=RRS090P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRS090P03HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -9A POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.47 грн
10+106.74 грн
50+81.08 грн
100+68.32 грн
500+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRS090P03HZGTB datasheet?p=RRS090P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRS090P03HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRS090P03HZGTB rrs090p03hzgtb-e.pdf
RRS090P03HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRS090P03HZGTB rrs090p03hzgtb-e.pdf
RRS090P03HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.