
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
218+ | 3.18 грн |
330+ | 2.10 грн |
334+ | 2.08 грн |
337+ | 1.99 грн |
548+ | 1.13 грн |
552+ | 1.08 грн |
564+ | 1.05 грн |
1026+ | 0.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS07K-HM3-08 Vishay
Description: DIODE STD 800V 500MA DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RS07K-HM3-08 за ціною від 4.02 грн до 31.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RS07K-HM3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RS07K-HM3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 35539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RS07K-HM3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 16638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RS07K-HM3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
RS07K-HM3-08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 500mA; 300ns; DO219AB,SMF; Ufmax: 1.3V Mounting: SMD Max. forward impulse current: 30A Application: automotive industry Max. off-state voltage: 0.8kV Case: DO219AB; SMF Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 300ns Leakage current: 2µA Load current: 0.5A Max. load current: 0.5A Max. forward voltage: 1.3V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RS07K-HM3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |