Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > RS1AL R3G
RS1AL R3G

RS1AL R3G Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS1AL R3G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V.

Інші пропозиції RS1AL R3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS1AL R3G RS1AL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL R3G Taiwan Semiconductor RS1AL%20SERIES_M15-1113555.pdf Rectifiers 1A, 50V, GP SMF FAST RECOVERY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL R3G RS1AL R3G Taiwan Semiconductor 34rs1al20series_k14.pdf Diode Switching 50V 0.8A 2-Pin Sub SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL R3G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1AL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL R3G RS1AL%20SERIES_M15-1113555.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 1A, 50V, GP SMF FAST RECOVERY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL R3G 34rs1al20series_k14.pdf
RS1AL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 50V 0.8A 2-Pin Sub SMA T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.