RS1BL R3G Taiwan Semiconductor
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1BL R3G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GP 100V 800MA SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції RS1BL R3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1BL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GP 100V 800MA SUB SMAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |