RS1DL R3 Taiwan Semiconductor
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Технічний опис RS1DL R3 Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1DL R3 - Diode mit Standard-Erholzeit, glaspassiviert, 200 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A, tariffCode: 85412100, Bauform - Diode: Sub-SMA, Durchlassstoßstrom: 30, hazardous: false, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3, Sperrverzögerungszeit: 150, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: RS1D, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції RS1DL R3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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RS1DL R3 | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1DL R3 - Diode mit Standard-Erholzeit, glaspassiviert, 200 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 AtariffCode: 85412100 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30 hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3 Sperrverzögerungszeit: 150 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: RS1D Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
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RS1DL R3 | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1DL R3 - Diode mit Standard-Erholzeit, glaspassiviert, 200 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85412100 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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